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下一代電力電子技術：美國的就業(yè)稻草
DQZHAN訊：下一代電力電子技術：美國的就業(yè)稻草
1月15日，美國總統(tǒng)奧巴馬在北卡羅來納州立大學高調宣布，以該校為核心建立“下一代電力電子技術國家制造業(yè)**研究所”(以下簡稱“電力電子技術**中心”)。作為規(guī)劃中的國家先進制造業(yè)**中心之一，以下一代電力電子技術和設備制造為研發(fā)對象的***制造業(yè)**中心正式進入人們的視線。
為振興美國制造業(yè)，奧巴馬于2012年3月宣稱創(chuàng)建美國“制造業(yè)**中心(IMIs)”，并在2013年國情咨文中正式宣布投資10億美元創(chuàng)建15個IMIs，除已經建立的一個以3D打印機為研發(fā)制造對象的**中心外，在2013年新建3個;同年7月，奧巴馬再次提出在未來10年建立45個IMIs。
研究對象：寬帶隙半導體技術
電力電子技術是一門將電子技術應用于電力領域的新興技術，它使用電力電子器件改變和控制通過網絡的電功率，其產品可廣泛應用于企業(yè)、**、公共設施和普通消費者。下一代電力電子設備具有體積小、可靠性強和節(jié)能的優(yōu)點，如目前已應用于LED燈和平板電視中的寬帶隙半導體材料等。
上世紀初以來，硅半導體技術的應用極大地改變了計算、通信和能源等行業(yè)，向消費者和經濟活動提供了強大甚至是不可思議的工具。今天，硅基電子在一些關鍵應用領域已經面臨很大局限，而寬帶隙半導體則向人們展現出一個新的機遇，即更小、更快、更便宜和更高效的電力電子技術將應用于個人電子設備、電動車輛、可再生能源并網、工業(yè)級變速傳動馬達和更為智能、靈活的輸電網絡等。
硅在室溫下的帶隙為1.1電子伏特(eV)，寬帶隙半導體是指在室溫下帶隙大于2.0eV的半導體材料。與硅基半導體技術相比，寬帶隙半導體不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運行，而且在高壓、高頻狀態(tài)下，更為耐用和可靠，能以較少的電能，獲得**的運行能力。該技術不僅可以大大縮小消費電子設備的體積，而且能夠把發(fā)電廠變得只有手提箱大小。
目的：技術先行，搶占市場，增加就業(yè)
奧巴馬政府認為，建立“電力電子技術**中心”目的是，通過加強寬帶隙半導體技術的研發(fā)和產業(yè)化，使美國占領這個正在出現的規(guī)模*大、發(fā)展*快的新興市場，這個市場將涵蓋從家用電器到工業(yè)設備制造，從電信技術到清潔能源技術等眾多領域，并且為美國創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。
該中心計劃在今后5年，通過對寬帶隙半導體技術的研發(fā)，制造出比目前硅基電力電子設備更具性價比的下一代節(jié)能、大功率電子芯片和器件，并通過對電力電子設備的改進，使汽車、消費電子和電網等更快、更小、更高效。該中心將建立一個協(xié)作網，不僅致力于下一代電力電子設備研究，還將制造、演示和調配新電力電子器件的能力和產品性能，以及它所產生的影響，包括對地區(qū)和全美商業(yè)活動、勞動力技能、制造業(yè)競爭力和培育未來經濟增長點等帶來的影響。
組織結構：由官企研等共同構建，機制靈活
“電力電子技術**中心”總部位于北卡羅來納州立大學，其中包括供中心成員分享的研發(fā)設施和實驗設備，以及勞動力開發(fā)與教育項目等，目前成員包括18家公司、7所高校和實驗室。美國能源部先進制造業(yè)辦公室在今后5年里將向**中心提供7000萬美元的財政支持，另有7000萬美元配套資金分別來自企業(yè)、高校等**中心成員和北卡羅來納州政府。
實際上，美國近年來新建的每一個**中心都是由眾多研究機構、企業(yè)和培訓機構等組成的綜合性區(qū)域網絡，目的是在基礎研究與產品開發(fā)之間架起一座及時聯(lián)通的橋梁，把企業(yè)、高校、研究和培訓機構及相關政府部門等有機地聯(lián)合在一起，共同把人力物力投向投入產出比*優(yōu)的前沿技術領域，以獲得*大化收益。
奧巴馬提出建立45個制造業(yè)**中心的設想，目前尚未獲得國會的立法支持。當前的資金來源只能依靠行政命令，出自有研發(fā)預算的部門，如國防部、能源部、商務部、航空局和國家科學基金會等，支持力度有限。為順利實施該計劃，奧巴馬政府正在游說國會通過立法，以獲得穩(wěn)定的專項財政資金支持。

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